半導体製造分野
ICやLSIなどの半導体の微細化に、フォトレジストやフォトリソグラフィ関連材料・装置による多元的なアプローチで応えます。
多種多様な半導体デバイスにお応えするために、マイクロメートルから最先端のナノメートル領域まで、各種デバイス製造に最適なフォトレジストや関連装置を提供。
東京応化工業(tok)は、半導体製造用フォトレジストにおいて世界トップクラスのシェアを有しています。g線用、i線用フォトレジストをはじめ、ナノメートル領域に対応するKrF用、ArF用の各種フォトレジストをラインナップに加えて市場のニーズにお応えする一方で、顧客との協業や共同開発機関への参加などを実施しつつ、次世代材料(EUV用など)の開発も積極的に進めています。
フォトレジストとともに半導体の製造に欠かせない、洗浄液やシンナー、現像液などの高純度化学薬品については、近年、その重要性が広く再認識されるようになり、需要が拡大しています。超高純度化技術は当社が創業以来培ってきたコア技術であり、この分野においても世界トップレベルの技術力を有しています。



用語集
- g線・i線・KrFエキシマレーザー・ArFエキシマレーザー
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フォトリソグラフィプロセスでの露光光源の名称。より微細な加工を行うため、波長が次の通り短波長化されてきた。
g線(波長436 nm)→i線(波長365 nm)→KrF(波長248 nm)→ArF(波長193 nm) - 液浸露光技術
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液体の屈折率を利用して、さらに微細な加工を行う技術。露光機の投影レンズと、露光対象となるフォトレジストとの間に液体を満たして露光する。
- EUV
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ArFエキシマレーザーの次の露光光源として有望視されている波長13.5 nmの極端紫外線。
- 電子線
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陰極から発生する放射線。