東京応化工業(tok)は、半導体や液晶ディスプレイの製造に必要なフォトレジストなどの化学薬品、製造装置を提供している会社です。

材料

半導体パッケージ・MEMS製造分野

製品情報

当社独自のパッケージ技術/MEMS製造技術は、高性能携帯端末や

電子部品などの軽量化、薄型化、小型化を支えています。

高機能携帯端末や電子部品などの軽量化/薄型化/小型化を支える独自のパッケージ技術/MEMS製造技術を材料と装置の両面から幅広くサポート。

半導体パッケージ製造用材料

  • Auバンプ/Cuピラー/マイクロバンプ等のCu、Ni、SnAg、Pd電解めっき用フォトレジスト

    3D-TSV、WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)、Cu Pillar/Flip Chip Package、LCDドライバー等へのマイクロバンプ/金スタッドバンプ/Cuポストの形成に用いられる金、銀、錫、銅、ニッケル、パラジウムの各種金属めっき液への耐性を持った高感度・高解像性のポジ型電解めっき用厚膜フォトレジストを各種取り揃えています。微細で良好な形状のビアホールパターンの形成が可能で下地との密着性にも優れており、めっき工程で高いプロセスマージンを有しています。また、めっき工程後のレジスト膜剥離工程では、ネガ型フォトレジストに比べて剥離が容易で、バンプ電極形成工程でのトータルコストダウンを可能にします。レジスト膜厚は10~100μmに対応しています。PoP (Package on Package) TMV部分に対応するTall Cu Pillar電極形成に適用可能な超厚膜タイプも取り揃えています。

    • PMER P-CSシリーズ、PMER P-LAシリーズ、PMER P-HAシリーズ、PMER P-CEシリーズ
  • 再配線(RDL)めっき用フォトレジスト

    最新半導体パッケージ技術のWL-CSP (Wafer Level Chip Size Package)、Wafer/Panel Level-Fan Out Package、インターポーザ用に微細な再配線(RDL)を形成可能な高解像性、ワイドDOFマージンを有する5~20μmの薄膜から厚膜までの各膜厚に応じた再配線形成対応めっき用フォトレジストを取り揃えています。実装環境耐性に優れるナフトキノン型と化学増幅型の両タイプに加え、Na2CO3無機アルカリ現像液で使用可能な高解像タイプも取り揃えています。

    • PMER P-WEシリーズ、PMER P-CYシリーズ、TMMR® P-W1000T PM
  • TAB/COF、FPCプロセス対応エッチング用フォトレジスト(ロール to ロール)

    ポリイミドフィルムを使用したTABやCOF、FPCのフレキシブル基板でのロール to ロールプロセスに対応できる塗布性能、柔軟性を持ったフォトレジストです。高解像・高密着性を有し、Cu エッチング(サブトラクティブ方式)に対応可能で、配線の微細化に伴うセミアディティブ方式に対応したポジ型レジストも取り揃えています。

    • PMER P-RCシリーズ、PMER P-RLシリーズ
  • Si深掘りエッチング用フォトレジスト
    • ZR8800:2.5、3次元TSV実装などのシリコン深掘りエッチングにてウェハ面内を安定してエッチングが可能な高耐熱性ポジ型厚膜i線レジストです。厚膜条件でも垂直性の高いパターン形成が可能。また、高耐熱性を有しエッチングプロセス中もプロファイルの形状変化が非常に少なくレジストパターンに忠実なドライエッチングが可能です。
    • TZNR シリーズ :優れたクラック耐性を有し、非ボッシュエッチング法(ダイレクトエッチング)によるシリコン深掘りエッチングに対応します。
  • リフトオフ用フォトレジスト
    • TLORシリーズ:単層・単一露光によりリフトオフ形状が形成可能なポジ型・ネガ型両タイプのフォトレジストを取り揃えています。スパッタ蒸着による成膜プロセスに対応。特にポジ型フォトレジストは、プロセス後のレジスト剥離を一般的な有機溶剤にて容易に剥離することが可能です。
  • 低腐食性レジスト剥離液
    • ST-120/ST-121:めっき工程後に不要となったドライフィルムレジスト、ネガ・ポジ型厚膜レジスト層除去用の剥離液です。優れた防食効果をもちCu、Alなどの金属に対して、ダメージなくレジスト膜の剥離除去を行うことが可能です。また、キュア前であればポリイミドの除去も可能です。Al層にダメージを与えることなく、ポリイミド工程でのウェハリワークにもご使用いただけます。

MEMS・イメージセンサー製造用フォトレジスト

  • 感光性永久膜 フォトレジスト

    フィルムタイプ TMMF-S2000/液状タイプ TMMR-S2000
    高解像・高密着性を有し、高アスペクトのパターン形成が可能な低温キュア・ネガ型感光性永久膜です。半導体実装用の絶縁層やMEMSデバイスの流路形成に加え、フィルムタイプを使用したテンティングプロセスによるキャビティ構造の形成にも適用ができ、従来の犠牲膜法と比較し大幅な工程簡素化が可能です。Si to Si、Si to ガラス、ガラス to ガラスの接着に用いる感光性接着剤として使用可能な製品も各種取り揃えています。

  • 感光性透明永久膜フォトレジスト (マイクロレンズ/透明絶縁膜)
    • TMR シリーズ:400nm以上の可視光領域において、透過率95%以上の高透過性を確保しています。フォトリソプロセスにてパターニングした後、ベークプロセスによる熱フローにて凸レンズ形状に加工可能することでCISマイクロレンズ、透明絶縁層等への適用も可能とする高信頼性膜形成用の特殊用途フォトレジストです。
  • 水溶性・有機溶剤・特殊溶剤可溶表面保護膜

    表面保護膜
    異物・パーティクル付着防止、接触・摩擦からの表面保護、薬品によるダメージから保護する塗布型材料を各種取り揃えています。