MEMS/CSP/Bumpプロセスサポート：ロードロック機構付枚葉式高速アッシング装置「TCA series」


■RESIST COATING
●	フォトレジスト

●	CS series
	(スピンコーター)
●	CS-A
	(ノンスピンコーター)

■EXPOSURE

■DEVELOPMENT
●	現像液

●	CS-H
	(現像装置）

■DESCUM
●	TCA series
	(プラズマアッシング装置)

■HARDENING
●	TVC-8000 series
	(UVハードニング装置)

■PLATING

■STRIPPING
●	剥離液

●	TCA series
	(プラズマアッシング装置)

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200 mmウェハ最大198枚／hrの高スループットを実現し、優れたプロセス性能と高いコストパフォーマンスで幅広いニーズにお応えします。

●	高スループットを実現（200 mmウェハ：最大198枚／hr）

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高い量産性

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コストの削減

●	高アッシングレート・高均一性を達成

●	低プラズマダメージを実現

●	高濃度イオン注入レジストの剥離にも対応

■高スループットを実現（200 mmウェハ：最大198枚／hr）
2ラインの最新鋭ロードロック機構と新開発高速パージ機構を搭載しました。さらにロードロック室のダブル旋回アームは、ウェハの高速入れ替えを可能にし、枚葉式従来型装置の3倍以上に相当する高スループットを実現します（当社比）。

■高い量産性
ロードロック機構を採用し、さらに±3％以下の高い再現性を実現します。

■コストの低減
枚葉式従来型装置に比べ、COCの30％低減を可能にしました（当社比）。

■高アッシングレート・高均一性を達成

≪拡散櫛型電極≫
静電容量結合プラズマでは両立が困難とされる高アッシングレート、高均一性を実現します。従来の櫛型電極と比べ、4 μm／min以上と大幅なアッシング性能の向上に成功しました。

≪ICP-3T型電極≫
誘導結合プラズマの特長を最大限に活かした超高アッシングレート、高均一性を実現します。従来の櫛型電極の約3倍に相当する8 μm／minものアッシングレートが容易に得られます。

■低プラズマダメージを実現（MNOS評価ΔV_FB＝0.02 V以下）
≪拡散櫛型電極≫
従来の櫛型電極のウイークポイントを徹底的に改善しました。静電容量結合プラズマでありながら、ダメージフリーアッシングに迫る低ダメージを実現しました。

≪ICP-3T型電極≫
ウェハ近傍における荷電粒子の排除および電界の除去に成功しました。プラズマダメージが発生する心配のないラジカル主体のアッシングプロセスが実現できます。

■高濃度イオン注入レジストの剥離にも対応

1×10¹⁶ion／cm²ものイオンを注入されたレジストでも高速剥離が可能です。

≪拡散櫛型電極≫
下地酸化膜をエッチングするフレオンガスを用いないアッシングプロセスでありながら、驚異的な剥離性能を実現します。

≪ICP-3T型電極≫
当社独自のイオン注入レジスト専用アッシングプロセスを用いることにより、ウェットクリーニング後では、櫛型電極と同等の性能が得られます。