MEMS/CSP/Bumpプロセスサポート：MEMS/CSP/Bump用プロセス材料

MEMS／CSPなどで必要とされる超高厚膜プロセスに液状・ドライフィルムの両面からフォトレジストをご提案します。

		再配線形成用(めっき法)厚膜液状ポジ型フォトレジスト
		(PMER P-LA900PM)

特長	●	従来のウェハプロセスへの適合が容易なポジ型フォトレジストです。
	●	膜厚（30 μm以内）での解像性に優れています。
	●	めっきプロセスでフォトレジストにクラックが発生しません。
	●	銅／金／はんだめっき性に優れています。

フォトレジストパターンPhoto・めっき形状Photo

		Bump形成用(めっき法)超高厚膜ドライフィルムレジスト
		(ORDYL®MP100 Series)

特長	●	ドライフィルムレジストのため、容易に超高厚膜のフォトレジスト膜の形成が可能です。
	●	100 μm以上の厚膜形成が可能なため、メタルポスト形成に適しています。

フォトレジストパターンPhoto・露光量による形状変化Photo

		Bump形成用(めっき法)厚膜化学増幅型液状ネガ型フォトレジスト
		(PMER N-CA3000PM)

特長	●	化学増幅型ネガ型フォトレジストで30 μm以上の厚膜形成が可能です。
	●	解像性に優れ、アスペクト比の高いパターニングが可能です。
	●	従来のポジ型フォトレジストの1/5以下の露光量でパターニングが可能です。
	●	ポジ型フォトレジストと共通の有機アルカリ現像液で処理が可能です。
	●	最高3,000 mPa・sの粘度まで調整が可能です。

露光量による寸法変化Graph・スピン塗布時の膜厚変化Graph

めっき形状Photo

		金Bump形成用(めっき法)化学増幅型液状ポジ型フォトレジスト
		(PMER P-CA1000PM)

特長	●	感度は従来のポジ型フォトレジストに比べて4倍です。
	●	ｉ線、ｇ線用ステッパー／アライナーに対応が可能です。
	●	ノンシアン金／シアン金の両方の金めっき液に対応が可能です。

Photoresist Patterning Profiles Photo

■現像液

■剥離液

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PMER 現像液P-7G