MEMS用永久フォトレジスト（TMMR™ S2000 / TMMF™ S2000）
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| 特長 |
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高厚膜で、5～700 μmの間で膜厚の選択が可能です。 |
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高アスペクト(20以上)のパターニングが可能です。 |
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高耐薬品性で、様々な用途にご使用いただけます。 |
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高耐熱性で、様々なプロセスに適用可能です。 |
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■高アスペクトフォトレジスト
■フォトレジストパターン（500倍） |
| 10 μm Line |
10 μm Dot |
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Film Thickness： |
130 μm |
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Exposure Dose： |
400 mJ/cm |
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P.E.B.： |
90℃, 10 min. |
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Development： |
PMシンナー, 23℃, 30 min. |
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■超高厚膜フォトレジスト
■フォトレジストパターン
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| Film Thickness: 600 μm |
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| L/S= 200/400 μm |
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Coater： |
CS-A (TOK) |
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Prebake： |
120℃, 6 hrs. |
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Exposure Dose： |
1500 mJ/cm |
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P.E.B.： |
D. H. P., 90℃, 5 min. |
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Development： |
PMシンナー, 23℃, 2 hrs. |
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Wafer Size： |
150 mm |
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■中空構造フォトレジスト
■フォトレジストパターン
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TMMF™ S2000 |
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Exposure Dose： |
300 mJ/cm |
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P.E.B.： |
90℃, 5 min. |
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Development： |
PMシンナー, 23℃, 8 min. |
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TMMR™ S2000 |
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Coater： |
CS-A(TOK) |
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Prebake： |
120℃, 20min. |
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Exposure Dose： |
400 mJ/cm |
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P.E.B.： |
90℃, 10 min. |
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Development： |
PMシンナー, 23℃, 30 min. |
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■中空構造形成方法
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| お問い合わせ |
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PDPパッケージング営業部
TEL. 044-435-3002 FAX. 044-435-3022 |
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営業時間 8:45～12:00 13:00～17:30
(土・日・祝祭日・その他特定日は除きます) |
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